창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-UPB275C | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | UPB275C | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | DIP-16 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | UPB275C | |
| 관련 링크 | UPB2, UPB275C 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | RJK0855DPB-00#J5 | MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK | RJK0855DPB-00#J5.pdf | |
![]() | 1537R-42K | 18µH Unshielded Molded Inductor 213mA 2.25 Ohm Max Axial | 1537R-42K.pdf | |
![]() | Y006057R5800B0L | RES 57.58 OHM 1/4W 0.1% AXIAL | Y006057R5800B0L.pdf | |
![]() | 245087060900861-CT | 245087060900861-CT AVX SMD or Through Hole | 245087060900861-CT.pdf | |
![]() | FESB16GT | FESB16GT GS TO-263 | FESB16GT.pdf | |
![]() | HSMBJ5926BTR-T | HSMBJ5926BTR-T Microsemi DO-214AA | HSMBJ5926BTR-T.pdf | |
![]() | 1234AS-H-4R7M | 1234AS-H-4R7M TOKO SMD | 1234AS-H-4R7M.pdf | |
![]() | 4965AGNMJPGN886437 | 4965AGNMJPGN886437 INTEL SMD or Through Hole | 4965AGNMJPGN886437.pdf | |
![]() | ADS5263IRGCTG4 | ADS5263IRGCTG4 TI Original | ADS5263IRGCTG4.pdf | |
![]() | TY00570002ARGQ | TY00570002ARGQ TOSHIBA BGA | TY00570002ARGQ.pdf | |
![]() | X2864BDMB-25/B | X2864BDMB-25/B XICOR DIP | X2864BDMB-25/B.pdf | |
![]() | 87C552SBAA,512 | 87C552SBAA,512 NXP SMD or Through Hole | 87C552SBAA,512.pdf |