창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-UPA2813T1L-E2-AT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | uPA2813T1L-E2-AT | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 27A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.2m옴 @ 27A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 80nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3130pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-HWSON(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | UPA2813T1L-E2-AT | |
관련 링크 | UPA2813T1, UPA2813T1L-E2-AT 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
ERA-2ARB7871X | RES SMD 7.87KOHM 0.1% 1/16W 0402 | ERA-2ARB7871X.pdf | ||
RNF14FAC30K1 | RES 30.1K OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FAC30K1.pdf | ||
CMF55856R00BER6 | RES 856 OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF55856R00BER6.pdf | ||
AD7266BSUZG4-REEL7 | AD7266BSUZG4-REEL7 AD Original | AD7266BSUZG4-REEL7.pdf | ||
636CY-6R8M | 636CY-6R8M TOKO SMD or Through Hole | 636CY-6R8M.pdf | ||
ECCA3A121JGE | ECCA3A121JGE PANASONIC DIP | ECCA3A121JGE.pdf | ||
B37941K5333K062 | B37941K5333K062 EPCOS SMD | B37941K5333K062.pdf | ||
M66211P | M66211P MIT DIP24 | M66211P.pdf | ||
SKD 146/12-L140 T4 | SKD 146/12-L140 T4 SEMIKRON SMD or Through Hole | SKD 146/12-L140 T4.pdf | ||
LM9704SL | LM9704SL NSC BGA | LM9704SL.pdf | ||
MMBT3906TR | MMBT3906TR NXP SMD or Through Hole | MMBT3906TR.pdf | ||
K9WBG08UIM-PCKO | K9WBG08UIM-PCKO SAMSUNG TSOP | K9WBG08UIM-PCKO.pdf |