창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ULN2803A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ULN280xA Datasheet | |
| 기타 관련 문서 | ULN2803A View All Specifications | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1149 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | 8 NPN 달링턴 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 500mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | - | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 1000 @ 350mA, 2V | |
| 전력 - 최대 | 2.25W | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 18-DIP(0.300", 7.62mm) | |
| 공급 장치 패키지 | 18-DIP | |
| 표준 포장 | 20 | |
| 다른 이름 | 497-2356-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ULN2803A | |
| 관련 링크 | ULN2, ULN2803A 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | APT2X60D100J | DIODE MODULE 1KV 55A ISOTOP | APT2X60D100J.pdf | |
![]() | BAR89-02LRHE6327 | BAR89-02LRHE6327 INFINEON SMD or Through Hole | BAR89-02LRHE6327.pdf | |
![]() | ADS8406EVM | ADS8406EVM TexasInstruments ADS8406 Eval Mod | ADS8406EVM.pdf | |
![]() | 91014700102 | 91014700102 HARTING SMD or Through Hole | 91014700102.pdf | |
![]() | C3216X7R1E155M(K)T | C3216X7R1E155M(K)T TDK SMD or Through Hole | C3216X7R1E155M(K)T.pdf | |
![]() | MCJ30A | MCJ30A VISHAY SMD or Through Hole | MCJ30A.pdf | |
![]() | 216-066017 | 216-066017 AMD BGA | 216-066017.pdf | |
![]() | AP1117K33L-13 | AP1117K33L-13 DIODES TO-263 | AP1117K33L-13.pdf | |
![]() | LCMXO640E-4MN2C-3I | LCMXO640E-4MN2C-3I Lattice BGA | LCMXO640E-4MN2C-3I.pdf | |
![]() | IDTQS3L384QG8 | IDTQS3L384QG8 IDT 24-QSOP | IDTQS3L384QG8.pdf | |
![]() | RD7.5V ES | RD7.5V ES NEC SMD or Through Hole | RD7.5V ES.pdf |