창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TV30C8V0JB-G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TV30C5V0~441-G | |
| 제품 교육 모듈 | ESD and ESD Suppressors | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Declaration | |
| PCN 포장 | Label D/C Chg24/Mar/2016 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | Comchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | - | |
| 양방향 채널 | 1 | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 8V | |
| 전압 - 항복(최소) | 8.89V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 13.6V | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 220.59A | |
| 전력 - 피크 펄스 | 3000W(3kW) | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-214AB, SMC | |
| 공급 장치 패키지 | DO-214AB,(SMC) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TV30C8V0JB-G | |
| 관련 링크 | TV30C8V, TV30C8V0JB-G 데이터 시트, Comchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | 2SC5402 | 2SC5402 ORIGINAL TO-252 | 2SC5402.pdf | |
![]() | QMF-202 | QMF-202 SYNERGY SMD or Through Hole | QMF-202.pdf | |
![]() | HC8511 | HC8511 SUPERCHIP DIP/SOP | HC8511.pdf | |
![]() | M11001-A042 | M11001-A042 N/A DIP64 | M11001-A042.pdf | |
![]() | BR93L66RFVM | BR93L66RFVM ROHM MSOP-8 | BR93L66RFVM.pdf | |
![]() | CR50-01 | CR50-01 Origin SMD or Through Hole | CR50-01.pdf | |
![]() | ERJ6RBD152V | ERJ6RBD152V Panasonic SMD or Through Hole | ERJ6RBD152V.pdf | |
![]() | BA3310NZ | BA3310NZ ROHM DIP | BA3310NZ.pdf | |
![]() | TLE3242DA | TLE3242DA Infineon SOT252-5P | TLE3242DA.pdf | |
![]() | G6SK-2F-H-3-3VDC | G6SK-2F-H-3-3VDC OMRON SMD or Through Hole | G6SK-2F-H-3-3VDC.pdf | |
![]() | QCIXP1200GB | QCIXP1200GB INTEL HLBGA | QCIXP1200GB.pdf | |
![]() | 1757611 | 1757611 PHOEMNIX SMD or Through Hole | 1757611.pdf |