창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPW4R008NH,L1Q | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TPW4R008NH | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 116A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 59nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5300pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 800mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-DSOP 고급 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | TPW4R008NH,L1Q(M TPW4R008NHL1QTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TPW4R008NH,L1Q | |
관련 링크 | TPW4R008, TPW4R008NH,L1Q 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | 0819R-72J | 100µH Unshielded Molded Inductor 52mA 17.5 Ohm Max Axial | 0819R-72J.pdf | |
![]() | RT1210CRE072K1L | RES SMD 2.1K OHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRE072K1L.pdf | |
![]() | SF23 DO-214AA | SF23 DO-214AA ORIGINAL SMD or Through Hole | SF23 DO-214AA.pdf | |
![]() | MAX762MJA | MAX762MJA ORIGINAL DIP-8L | MAX762MJA.pdf | |
![]() | HS12510 | HS12510 APTMICROSEMI HALFPAK | HS12510.pdf | |
![]() | NMP4000 | NMP4000 NEOFIDELI QFN | NMP4000.pdf | |
![]() | EDI411024C100QB | EDI411024C100QB EDI CDIP18 | EDI411024C100QB.pdf | |
![]() | UPD882-P | UPD882-P NEC SMD or Through Hole | UPD882-P.pdf | |
![]() | HEF4755 | HEF4755 ORIGINAL SMD or Through Hole | HEF4755.pdf | |
![]() | SRS-4809-1 | SRS-4809-1 DANUBE DIP16 | SRS-4809-1.pdf | |
![]() | SPA100AVS1 | SPA100AVS1 ORIGINAL SMD or Through Hole | SPA100AVS1.pdf | |
![]() | TPS40252 | TPS40252 TI SMD or Through Hole | TPS40252.pdf |