창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPN3300ANH,LQ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TPN3300ANH | |
주요제품 | U-MOSⅧ-H MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.4A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 33m옴 @ 4.7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 880pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 27W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-TSON 고급 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | TPN3300ANH,LQ(S TPN3300ANHLQ TPN3300ANHLQTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TPN3300ANH,LQ | |
관련 링크 | TPN3300, TPN3300ANH,LQ 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | 744786022A | 2.2nH Unshielded Multilayer Inductor 600mA 100 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | 744786022A.pdf | |
![]() | ASM2305/TR-LF | ASM2305/TR-LF ASEMI SOT-23 | ASM2305/TR-LF.pdf | |
![]() | HCM4910.000MABJ-UT | HCM4910.000MABJ-UT CITIZEN SMD or Through Hole | HCM4910.000MABJ-UT.pdf | |
![]() | GF3-TI200-A5 | GF3-TI200-A5 NVIDIA QFP BGA | GF3-TI200-A5.pdf | |
![]() | PDIP16L | PDIP16L ORIGINAL QFP-16 | PDIP16L.pdf | |
![]() | 106K10AP1800 | 106K10AP1800 AVX SMD or Through Hole | 106K10AP1800.pdf | |
![]() | TC2117-25VDB | TC2117-25VDB MICROCHIP SOT223 | TC2117-25VDB.pdf | |
![]() | SG-710ECK 20M B | SG-710ECK 20M B EPSONTOYOCOM SMD or Through Hole | SG-710ECK 20M B.pdf | |
![]() | MD82C84A-B | MD82C84A-B HAR SMD or Through Hole | MD82C84A-B.pdf | |
![]() | MAX3265CUB T | MAX3265CUB T MAXIM QFN | MAX3265CUB T.pdf | |
![]() | ZNBGDOE1 | ZNBGDOE1 N/A N A | ZNBGDOE1.pdf | |
![]() | MTD110N02RT4G | MTD110N02RT4G ON TO-252 | MTD110N02RT4G.pdf |