Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R703NL,L1Q
- 제조업체 부품 번호
- TPN2R703NL,L1Q
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
TPN2R703NL,L1Q 가격 및 조달
가능 수량
18550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 469.99180
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 TPN2R703NL,L1Q 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. TPN2R703NL,L1Q 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. TPN2R703NL,L1Q가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- TPN2R703NL,L1Q 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TPN2R703NL,L1Q 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TPN2R703NL,L1Q | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TPN2R703NL | |
| 주요제품 | U-MOSⅧ-H MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 45A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.7m옴 @ 22.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 300µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 21nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2100pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 42W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-TSON 고급 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | TPN2R703NL,L1Q(M TPN2R703NL,L1QTR TPN2R703NL,L1QTR-ND TPN2R703NLL1QTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TPN2R703NL,L1Q | |
| 관련 링크 | TPN2R703, TPN2R703NL,L1Q 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
TPN2R703NL,L1Q 의 관련 제품
 | GRM155R61A473KA01D | 0.047µF 10V 세라믹 커패시터 X5R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM155R61A473KA01D.pdf | |
 | 0874002.MRET1P | FUSE CERAMIC 2A 250VAC AXIAL | 0874002.MRET1P.pdf | |
 | P6SMB220A-E3/5B | TVS DIODE 185VWM 328VC SMB | P6SMB220A-E3/5B.pdf | |
 | LP260F33CDT | 26MHz ±30ppm 수정 18pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP260F33CDT.pdf | |
| DS26LS32MJ-883 | DS26LS32MJ-883 NS SMD or Through Hole | DS26LS32MJ-883.pdf | |
| V-15-1A5 | V-15-1A5 OMRON SMD or Through Hole | V-15-1A5.pdf | |
| 1206N121F500LT | 1206N121F500LT ORIGINAL SMD or Through Hole | 1206N121F500LT.pdf | |
| SAS1000-K4 | SAS1000-K4 SUCCEED SMD or Through Hole | SAS1000-K4.pdf | |
| IMP809-3.08(TEUR-T | IMP809-3.08(TEUR-T IMP SOT-23 | IMP809-3.08(TEUR-T.pdf | |
| EM500X | EM500X EPCOS SMD or Through Hole | EM500X.pdf | |
| MAX6102-2.5 | MAX6102-2.5 MAX SOT23-3 | MAX6102-2.5.pdf | |
| PEX8606-BA50BIG | PEX8606-BA50BIG PLX SMD or Through Hole | PEX8606-BA50BIG.pdf |