Toshiba Semiconductor and Storage TPN1110ENH,L1Q
- 제조업체 부품 번호
- TPN1110ENH,L1Q
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
TPN1110ENH,L1Q 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 726.31280
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 TPN1110ENH,L1Q 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. TPN1110ENH,L1Q 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. TPN1110ENH,L1Q가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- TPN1110ENH,L1Q 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TPN1110ENH,L1Q 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TPN1110ENH,L1Q | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TPN1110ENH | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.2A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 114m옴 @ 3.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 200µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 600pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 39W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-TSON 고급 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | TPN1110ENH,L1Q(M TPN1110ENHL1QTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TPN1110ENH,L1Q | |
| 관련 링크 | TPN1110E, TPN1110ENH,L1Q 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
TPN1110ENH,L1Q 의 관련 제품
 | A471M15X7RK5TAA | 470pF 200V 세라믹 커패시터 X7R 축방향 0.098" Dia x 0.150" L(2.50mm x 3.80mm) | A471M15X7RK5TAA.pdf | |
 | 1.5SMC8.2A-E3/9AT | TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC DO214AB | 1.5SMC8.2A-E3/9AT.pdf | |
 | A177B | DIODE GEN PURP 200V 100A DO205AA | A177B.pdf | |
| 97-67-18-8 | 97-67-18-8 TYCO con | 97-67-18-8.pdf | |
| 267E 1002 475KR 10V | 267E 1002 475KR 10V MATSUO B | 267E 1002 475KR 10V.pdf | |
| MN1874862J7A4 | MN1874862J7A4 ORIGINAL DIP | MN1874862J7A4.pdf | |
| KIA30N06BU | KIA30N06BU KIA TO-251 | KIA30N06BU.pdf | |
| 17-21/W1D-APQHY/2T | 17-21/W1D-APQHY/2T ORIGINAL SMD or Through Hole | 17-21/W1D-APQHY/2T.pdf | |
| HYR-1003 | HYR-1003 ALEPH SMD or Through Hole | HYR-1003.pdf | |
| LURF3333/H0 | LURF3333/H0 LIGITEK ROHS | LURF3333/H0.pdf | |
| DS3650E+ | DS3650E+ MAXIM NA | DS3650E+.pdf | |
| GRM1552C1H6R0WZ01D | GRM1552C1H6R0WZ01D MURATA SMD | GRM1552C1H6R0WZ01D.pdf |