창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPN11003NL,LQ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TPN11003NL | |
주요제품 | U-MOSⅧ-H MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 5.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 660pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 700mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-TSON 고급 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | TPN11003NL,LQ(S TPN11003NLLQTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TPN11003NL,LQ | |
관련 링크 | TPN1100, TPN11003NL,LQ 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | C1608X7R1A225M080AE | 2.2µF 10V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608X7R1A225M080AE.pdf | |
![]() | VS-45L60 | DIODE STD REC 600V 150A DO-8 | VS-45L60.pdf | |
![]() | ERJ-S12F1430U | RES SMD 143 OHM 1% 3/4W 1812 | ERJ-S12F1430U.pdf | |
![]() | ICS841S012DKILF | ICS841S012DKILF IDT 56 VFQFN (LEAD-FREE) | ICS841S012DKILF.pdf | |
![]() | IPI032N06N3 | IPI032N06N3 Infineon TO-262 | IPI032N06N3.pdf | |
![]() | MHM2036-002 | MHM2036-002 OKI QFP | MHM2036-002.pdf | |
![]() | TMS27C128-25 | TMS27C128-25 TM DIP | TMS27C128-25.pdf | |
![]() | 35U68 | 35U68 ATMEL LQFP | 35U68.pdf | |
![]() | MMBD1403A_NL | MMBD1403A_NL FAIRCHILD SOT23 | MMBD1403A_NL.pdf | |
![]() | OSA-SH-248DM3 | OSA-SH-248DM3 OEG SMD or Through Hole | OSA-SH-248DM3.pdf | |
![]() | SFPL-73VL | SFPL-73VL SANKEN 1808 | SFPL-73VL.pdf | |
![]() | NH82801IR/SLA9N | NH82801IR/SLA9N INTEL SMD or Through Hole | NH82801IR/SLA9N.pdf |