Toshiba Semiconductor and Storage TPHR6503PL,L1Q
- 제조업체 부품 번호
- TPHR6503PL,L1Q
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
TPHR6503PL,L1Q 가격 및 조달
가능 수량
13550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 845.09568
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 TPHR6503PL,L1Q 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. TPHR6503PL,L1Q 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. TPHR6503PL,L1Q가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- TPHR6503PL,L1Q 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TPHR6503PL,L1Q 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TPHR6503PL,L1Q | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | ||
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TPHR6503PL | |
| 주요제품 | 30 V and 40 V Ultra-High Efficiency MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 신제품 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 150A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 0.65m옴@ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10000pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 960mW | |
| 작동 온도 | 175°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SOP Advance | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | TPHR6503PL,L1Q(M TPHR6503PLL1QTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TPHR6503PL,L1Q | |
| 관련 링크 | TPHR6503, TPHR6503PL,L1Q 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
TPHR6503PL,L1Q 의 관련 제품
 | 416F44012CLR | 44MHz ±10ppm 수정 12pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F44012CLR.pdf | |
 | IMC1812EB8R2J | 8.2µH Unshielded Wirewound Inductor 270mA 1.4 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812EB8R2J.pdf | |
 | DBT70510F-HR | Reed Relay SPST-NC (1 Form B) Through Hole | DBT70510F-HR.pdf | |
| 1210/226k | 1210/226k ORIGINAL SMD or Through Hole | 1210/226k.pdf | |
| 6142LG | 6142LG YHQ QFP | 6142LG.pdf | |
| GBP201G | GBP201G ORIGINAL DIP4 | GBP201G.pdf | |
| BC817-16 E6327 | BC817-16 E6327 INF SMD or Through Hole | BC817-16 E6327.pdf | |
| P14TG-2405Z2:1MLF | P14TG-2405Z2:1MLF PEAK SMD or Through Hole | P14TG-2405Z2:1MLF.pdf | |
| D06660C | D06660C ORIGINAL TO-220 | D06660C.pdf | |
| BC327-25-40/BC337-25-40 | BC327-25-40/BC337-25-40 FSC TO-92 | BC327-25-40/BC337-25-40.pdf | |
| 2114D/DD | 2114D/DD JRC DIP-8 | 2114D/DD.pdf | |
| K4E151612D-JI60 | K4E151612D-JI60 SAMSUNG SOJ42 | K4E151612D-JI60.pdf |