창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TPH3R203NL,L1Q | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TPH3R203NL | |
| 주요제품 | U-MOSⅧ-H MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 47A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 23.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 300µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 21nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2100pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 44W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SOP Advance | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | TPH3R203NL,L1Q(M TPH3R203NL,L1QTR TPH3R203NL,L1QTR-ND TPH3R203NLL1QTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TPH3R203NL,L1Q | |
| 관련 링크 | TPH3R203, TPH3R203NL,L1Q 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | 3404.0011.11 | FUSE BRD MNT 1.6A 125VAC/VDC SMD | 3404.0011.11.pdf | |
![]() | 416F30023CLR | 30MHz ±20ppm 수정 12pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F30023CLR.pdf | |
![]() | EPDX000BLEU | EPDX000BLEU NEXANS SMD or Through Hole | EPDX000BLEU.pdf | |
![]() | 210-0022 | 210-0022 ALLEGRO DIP-8 | 210-0022.pdf | |
![]() | P6NG-0512E2:1LF | P6NG-0512E2:1LF PEAK SIP | P6NG-0512E2:1LF.pdf | |
![]() | CT316Y5V224Z25V | CT316Y5V224Z25V AVX SMD or Through Hole | CT316Y5V224Z25V.pdf | |
![]() | JK-SMD1206-005 | JK-SMD1206-005 JK SMD or Through Hole | JK-SMD1206-005.pdf | |
![]() | LT1720IS8/TR | LT1720IS8/TR LT SOP | LT1720IS8/TR.pdf | |
![]() | 44608P-100 | 44608P-100 ORIGINAL SMD or Through Hole | 44608P-100.pdf | |
![]() | ADG507BKR | ADG507BKR AD SOP28 | ADG507BKR.pdf | |
![]() | DR200D.BIN | DR200D.BIN ECTACO TSOP | DR200D.BIN.pdf | |
![]() | BX4141WT | BX4141WT Pulse Transformer | BX4141WT.pdf |