창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPH1110ENH,L1Q | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TPH1110ENH | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.2A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 114m옴 @ 3.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 200µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 600pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 42W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP Advance | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | TPH1110ENH,L1Q(M TPH1110ENHL1QTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TPH1110ENH,L1Q | |
관련 링크 | TPH1110E, TPH1110ENH,L1Q 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
CBR08C560F1GAC | 56pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CBR08C560F1GAC.pdf | ||
3KP12C-B | TVS DIODE 12VWM 20.9VC P600 | 3KP12C-B.pdf | ||
CMF6033R500DHEK | RES 33.5 OHM 1W .5% AXIAL | CMF6033R500DHEK.pdf | ||
ADE7754ARW | ADE7754ARW AD SOP | ADE7754ARW.pdf | ||
450C | 450C MURATA SMD or Through Hole | 450C.pdf | ||
GS9092-ACNE3 | GS9092-ACNE3 ORIGINAL SMD or Through Hole | GS9092-ACNE3.pdf | ||
ADSP-21161NKB | ADSP-21161NKB AD BGA | ADSP-21161NKB.pdf | ||
SK050M1R00A5F-0511 | SK050M1R00A5F-0511 YAGEO Call | SK050M1R00A5F-0511.pdf | ||
CMC90C63 | CMC90C63 ORIGINAL SMD or Through Hole | CMC90C63.pdf | ||
AD6-1991 | AD6-1991 AD SOP8 | AD6-1991.pdf | ||
KC-89-92 | KC-89-92 NSC NULL | KC-89-92.pdf | ||
CS3216Z5V224M500NRE | CS3216Z5V224M500NRE SAMWHA SMD or Through Hole | CS3216Z5V224M500NRE.pdf |