창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPH1110ENH,L1Q | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TPH1110ENH | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.2A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 114m옴 @ 3.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 200µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 600pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 42W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP Advance | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | TPH1110ENH,L1Q(M TPH1110ENHL1QTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TPH1110ENH,L1Q | |
관련 링크 | TPH1110E, TPH1110ENH,L1Q 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
RT2010DKD07120RL | RES SMD 120 OHM 0.5% 1/2W 2010 | RT2010DKD07120RL.pdf | ||
RNMF12FTD1M37 | RES 1.37M OHM 1/2W 1% AXIAL | RNMF12FTD1M37.pdf | ||
MAIC03E45H | MAIC03E45H N/Y NY | MAIC03E45H.pdf | ||
SPMWHT521M | SPMWHT521M samsung SMD or Through Hole | SPMWHT521M.pdf | ||
OR2C015A-4S208 | OR2C015A-4S208 ORIGINAL QFP | OR2C015A-4S208.pdf | ||
M80B301JB | M80B301JB ORIGINAL SOP | M80B301JB.pdf | ||
TMS37F136LCFDBTR | TMS37F136LCFDBTR TI TSSOP | TMS37F136LCFDBTR.pdf | ||
22205E104ZAT2A | 22205E104ZAT2A AVX SMD or Through Hole | 22205E104ZAT2A.pdf | ||
LV13603AMRX-ADJ/NOPB | LV13603AMRX-ADJ/NOPB NS SMD or Through Hole | LV13603AMRX-ADJ/NOPB.pdf | ||
ST92185C3B1/MME ROHS | ST92185C3B1/MME ROHS ST SMD or Through Hole | ST92185C3B1/MME ROHS.pdf | ||
SN8P2604SG | SN8P2604SG SONIX SOP | SN8P2604SG.pdf |