창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPC8223-H,LQ(S | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TPC8223-H Mosfets Prod Guide | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 17m옴 @ 4.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1190pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 450mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | TPC8223-HLQ(S TPC8223HLQS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TPC8223-H,LQ(S | |
관련 링크 | TPC8223-, TPC8223-H,LQ(S 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
VJ0805D360KLPAJ | 36pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D360KLPAJ.pdf | ||
VJ0603D301GLXAR | 300pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D301GLXAR.pdf | ||
DDTC143TCA-7-F | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 | DDTC143TCA-7-F.pdf | ||
AMC432DBFT | AMC432DBFT ADDTEK SOT23 | AMC432DBFT.pdf | ||
AML1005H8N2JTS | AML1005H8N2JTS FDK SMD or Through Hole | AML1005H8N2JTS.pdf | ||
LF13201D | LF13201D NS DIP16 | LF13201D.pdf | ||
AD528JN | AD528JN ORIGINAL SMD or Through Hole | AD528JN.pdf | ||
MAX1901ETJ-T | MAX1901ETJ-T MAXIM QFN | MAX1901ETJ-T.pdf | ||
92X72 | 92X72 MOTOROLA SMD or Through Hole | 92X72.pdf | ||
MT8981CD | MT8981CD MT CDIP | MT8981CD.pdf | ||
K470J10C0GH5H5 | K470J10C0GH5H5 VISHAY DIP | K470J10C0GH5H5.pdf | ||
O3112 | O3112 ORIGINAL DIP | O3112.pdf |