Toshiba Semiconductor and Storage TPC8207(TE12L)
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- Toshiba Semiconductor and Storage
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- FET - 어레이
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- MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP
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TPC8207(TE12L) 가격 및 조달
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TPC8207(TE12L) 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TPC8207(TE12L) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TPC8207 Mosfets Prod Guide | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | Digi-Reel® | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 4.8A, 4V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 200µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2010pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 450mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SOP(5.5x6.0) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | TPC8207DKR TPC8207TE12L | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TPC8207(TE12L) | |
| 관련 링크 | TPC8207(, TPC8207(TE12L) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
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