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Toshiba Semiconductor and Storage TPC8012-H(TE12L,Q)

TPC8012-H(TE12L,Q)
제조업체 부품 번호
TPC8012-H(TE12L,Q)
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP
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내부 부품 번호EIS-TPC8012-H(TE12L,Q)
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서TPC8012-H
Mosfets Prod Guide
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장Digi-Reel®
부품 현황판매 중단
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)200V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C1.8A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs400m옴 @ 900mA, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs11nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds440pF @ 10V
전력 - 최대-
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭)
공급 장치 패키지8-SOP(5.5x6.0)
표준 포장 1
다른 이름TPC8012-HDKR
TPC8012-HDKR-ND
TPC8012-HQDKR
TPC8012HTE12LQ
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)TPC8012-H(TE12L,Q)
관련 링크TPC8012-H(, TPC8012-H(TE12L,Q) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통
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