창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TPC6008-H(TE85L,FM | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TPC6008-H Mosfets Prod Guide | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.9A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.8nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 300pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| 공급 장치 패키지 | VS-6(2.9x2.8) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | TPC6008-H(TE85LFM TPC6008HTE85LFM | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TPC6008-H(TE85L,FM | |
| 관련 링크 | TPC6008-H(, TPC6008-H(TE85L,FM 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D1R7CLBAC | 1.7pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D1R7CLBAC.pdf | |
![]() | AC1210FR-07422RL | RES SMD 422 OHM 1% 1/2W 1210 | AC1210FR-07422RL.pdf | |
![]() | TSOP37336HTT1 | MOD IR RCVR 56KHZ TOP VIEW SHLD | TSOP37336HTT1.pdf | |
![]() | ATF081-A0K06 | ATF081-A0K06 P-TWO SMD or Through Hole | ATF081-A0K06.pdf | |
![]() | pmi741 | pmi741 ad CAN | pmi741.pdf | |
![]() | MC1024L | MC1024L ON DIP | MC1024L.pdf | |
![]() | SSM3K03TE(TE85L) | SSM3K03TE(TE85L) TOSHIBA SOT523 | SSM3K03TE(TE85L).pdf | |
![]() | BSM200GA120DN2F | BSM200GA120DN2F ORIGINAL SMD or Through Hole | BSM200GA120DN2F.pdf | |
![]() | GPTC6608A-002B | GPTC6608A-002B ORIGINAL SMD or Through Hole | GPTC6608A-002B.pdf | |
![]() | XC7SET04GW | XC7SET04GW NXP SOT353 | XC7SET04GW.pdf | |
![]() | ATMXT154-CU(QS545) | ATMXT154-CU(QS545) ATMEL SMD or Through Hole | ATMXT154-CU(QS545).pdf |