Microchip Technology TP2424N8-G

TP2424N8-G
제조업체 부품 번호
TP2424N8-G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 240V 0.316A SOT89-3
데이터 시트 다운로드
다운로드
TP2424N8-G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,235.52000
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 TP2424N8-G 재고가 있습니다. 우리는 Microchip Technology 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Microchip Technology 전자 부품 전문. TP2424N8-G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. TP2424N8-G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
TP2424N8-G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
TP2424N8-G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-TP2424N8-G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서TP2424
PCN 설계/사양Die Attach Material Update 26/Aug/2015
PCN 조립/원산지Additional Fabrication Site 03/Sep/2014
Fab Site Addition 14/Aug/2014
Die Material/Assembly Site 29/Jul/2015
PCN 포장Label and Packing Changes 23/Sep/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Microchip Technology
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)240V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C316mA(Tj)
Rds On(최대) @ Id, Vgs8옴 @ 500mA, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.4V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds200pF @ 25V
전력 - 최대1.6W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-243AA
공급 장치 패키지TO-243AA(SOT-89)
표준 포장 2,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)TP2424N8-G
관련 링크TP2424, TP2424N8-G 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통
TP2424N8-G 의 관련 제품
3435GA017 B HIT DIP64 3435GA017 B.pdf
HD74AC240P HIT SMD or Through Hole HD74AC240P.pdf
SS19- HGD SMA SS19-.pdf
PI90LV211QE PERICOM SSOP-28 PI90LV211QE.pdf
BAS70-05/E9 DIODESINC SMD or Through Hole BAS70-05/E9.pdf
G6A-274P-ST-US-24VDC OMRON SMD or Through Hole G6A-274P-ST-US-24VDC.pdf
ORT8850l-1BMN680C2S LATTICE BGA ORT8850l-1BMN680C2S.pdf
MAX1976AEZT180-T MAX SOT-163 MAX1976AEZT180-T.pdf
FC0402E1000BTBWS VISHAY SMD or Through Hole FC0402E1000BTBWS.pdf
ELX-101ETD3R3MH15D Chemi-con NA ELX-101ETD3R3MH15D.pdf
6433308RL64E MIT QFP 6433308RL64E.pdf
L-12-OV-6 LAMBDA SMD or Through Hole L-12-OV-6.pdf