창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TNPW2010604KBEEY | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TNPW e3 Series | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Vishay Dale | |
| 계열 | TNPW | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 604k | |
| 허용 오차 | ±0.1% | |
| 전력(와트) | 0.4W | |
| 구성 | 박막 | |
| 특징 | 내습성 | |
| 온도 계수 | ±25ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 패키지/케이스 | 2010(5025 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 2010 | |
| 크기/치수 | 0.197" L x 0.098" W(5.00mm x 2.50mm) | |
| 높이 | 0.030"(0.75mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | TNPW2010 604K 0.1% T9 E75 E3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TNPW2010604KBEEY | |
| 관련 링크 | TNPW20106, TNPW2010604KBEEY 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
| BZW03C15-TR | DIODE ZENER 15V 1.85W SOD64 | BZW03C15-TR.pdf | ||
![]() | TRJC336M016RRJ | TRJC336M016RRJ AVX SMD or Through Hole | TRJC336M016RRJ.pdf | |
![]() | AM795331DC | AM795331DC AMD DIP | AM795331DC.pdf | |
![]() | CA1107H11 | CA1107H11 KOHSHIN DIP | CA1107H11.pdf | |
![]() | BH7610FVM | BH7610FVM ROHM MSOP-8 | BH7610FVM.pdf | |
![]() | 74ABTH16240ADGG | 74ABTH16240ADGG PHILIPS TSSOP | 74ABTH16240ADGG.pdf | |
![]() | LCW CQ7P.PC-KTLP | LCW CQ7P.PC-KTLP OSRAM SMD or Through Hole | LCW CQ7P.PC-KTLP.pdf | |
![]() | LM211CY | LM211CY NULL NULL | LM211CY.pdf | |
![]() | MNR04M0ABJ series | MNR04M0ABJ series ROHM 2011 | MNR04M0ABJ series.pdf | |
![]() | M378T6553EZ3-CE6 (DDR2 512M/667 Long-DIM | M378T6553EZ3-CE6 (DDR2 512M/667 Long-DIM Samsung SMD or Through Hole | M378T6553EZ3-CE6 (DDR2 512M/667 Long-DIM.pdf | |
![]() | DCN5S12-W5 | DCN5S12-W5 BBT DIP14 | DCN5S12-W5.pdf | |
![]() | PMEG3010EBTR-CT | PMEG3010EBTR-CT NXP SMD or Through Hole | PMEG3010EBTR-CT.pdf |