창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TNPW12101M69BETA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TNPW Series | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Vishay Dale | |
| 계열 | TNPW | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 1.69M | |
| 허용 오차 | ±0.1% | |
| 전력(와트) | 0.333W, 1/3W | |
| 구성 | 박막 | |
| 특징 | - | |
| 온도 계수 | ±25ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 패키지/케이스 | 1210(3225 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 1210 | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.096" W(3.20mm x 2.45mm) | |
| 높이 | 0.030"(0.75mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | TNPW1210 1M69 0.1% T9 RT1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TNPW12101M69BETA | |
| 관련 링크 | TNPW12101, TNPW12101M69BETA 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | LP122F23IDT | 12.288MHz ±20ppm 수정 18pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP122F23IDT.pdf | |
![]() | 7N24570001 | 24.576MHz Clipped Sine Wave, CMOS TCXO Oscillator 10mA Enable/Disable | 7N24570001.pdf | |
![]() | DMN3026LVT-7 | MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26 | DMN3026LVT-7.pdf | |
![]() | PA4304.224NLT | 220µH Shielded Wirewound Inductor 800mA 400 mOhm Max Nonstandard | PA4304.224NLT.pdf | |
![]() | AT-102-WP1(40) | RF Attenuator 2dB 0Hz ~ 18GHz 50 Ohm 1W SMA In-Line Module | AT-102-WP1(40).pdf | |
![]() | E3ZM-CT66 | SENSOR PHOTOELECTRIC 15M M8 CONN | E3ZM-CT66.pdf | |
![]() | BGX50A TEL:8276644 | BGX50A TEL:8276644 INF SOT143 | BGX50A TEL:8276644.pdf | |
![]() | TSB41AB3I1 | TSB41AB3I1 TI HTQFP | TSB41AB3I1.pdf | |
![]() | 4832-6000-CP | 4832-6000-CP M SMD or Through Hole | 4832-6000-CP.pdf | |
![]() | EPM7256BTC1447 | EPM7256BTC1447 alt SMD or Through Hole | EPM7256BTC1447.pdf | |
![]() | C052K181K2X5CA7301 | C052K181K2X5CA7301 KMT SMD or Through Hole | C052K181K2X5CA7301.pdf | |
![]() | K9F6408UOC-VCBO | K9F6408UOC-VCBO SAMSUNG TSOP44 | K9F6408UOC-VCBO.pdf |