창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TNETD5080GGH | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | TNETD5080GGH | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | BGA | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | TNETD5080GGH | |
| 관련 링크 | TNETD50, TNETD5080GGH 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | ECW-H12183JL | 0.018µF Film Capacitor 1000V (1kV) 1250V (1.25kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.906" L x 0.256" W (23.00mm x 6.50mm) | ECW-H12183JL.pdf | |
![]() | 1210R-473H | 47µH Unshielded Inductor 163mA 7 Ohm Max 2-SMD | 1210R-473H.pdf | |
![]() | SWT-0.83-248 | 248µH Unshielded Toroidal Inductor 830mA 600 mOhm Radial | SWT-0.83-248.pdf | |
![]() | 1206CG6R0D500NT | 1206CG6R0D500NT ORIGINAL 1206 | 1206CG6R0D500NT.pdf | |
![]() | L9407F | L9407F STM QFN | L9407F.pdf | |
![]() | PVX-4V221ME60-R | PVX-4V221ME60-R ELNA SMD | PVX-4V221ME60-R.pdf | |
![]() | HU2G107M25030HA180 | HU2G107M25030HA180 SAMWHA SMD or Through Hole | HU2G107M25030HA180.pdf | |
![]() | 538E00950 | 538E00950 AMI DIP | 538E00950.pdf | |
![]() | DF23C-30DS | DF23C-30DS HRS PCS | DF23C-30DS.pdf | |
![]() | NH82801IU-QR43(ES) | NH82801IU-QR43(ES) INTEL ORIGINAL | NH82801IU-QR43(ES).pdf | |
![]() | FB201209B601 | FB201209B601 FrontierElectronicsCorp seln induktivitaeten fb2012 pdf | FB201209B601.pdf | |
![]() | HZS4B3 | HZS4B3 HITACHI/RENESAS DO-34 | HZS4B3.pdf |