창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TNETD402012J | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | TNETD402012J | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | BGA | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | TNETD402012J | |
| 관련 링크 | TNETD40, TNETD402012J 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0402D0R6BXXAP | 0.60pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D0R6BXXAP.pdf | |
![]() | MSFC110-16 | POWER MOD THYRISTOR/DIODE F1 | MSFC110-16.pdf | |
![]() | NTMFS5C404NLTWFT1G | MOSFET N-CH 40V 352A SO8FL | NTMFS5C404NLTWFT1G.pdf | |
![]() | S1210-102F | 1µH Shielded Inductor 635mA 400 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | S1210-102F.pdf | |
![]() | TC54-820K | TC54-820K TOKEN SMD | TC54-820K.pdf | |
![]() | SMH350VN121M22X30T2 | SMH350VN121M22X30T2 NIPPON DIP | SMH350VN121M22X30T2.pdf | |
![]() | ADM6319C29-ARJZ-RL7 NOPB | ADM6319C29-ARJZ-RL7 NOPB AD SOT23-5 | ADM6319C29-ARJZ-RL7 NOPB.pdf | |
![]() | G6B-2114P-1-US-12DC | G6B-2114P-1-US-12DC OMRON SMD or Through Hole | G6B-2114P-1-US-12DC.pdf | |
![]() | B57431-V2102-K60 | B57431-V2102-K60 EPCOS SMD or Through Hole | B57431-V2102-K60.pdf | |
![]() | SUD35N05+-26L | SUD35N05+-26L VISHAY TO252 | SUD35N05+-26L.pdf | |
![]() | FM-9038LM-5CN | FM-9038LM-5CN OPTO-SENSORLTD SMD or Through Hole | FM-9038LM-5CN.pdf | |
![]() | 39P428XZZ-S0B8 | 39P428XZZ-S0B8 Samsung SOP-32 | 39P428XZZ-S0B8.pdf |