창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TN2640K4-G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TN2640 | |
PCN 조립/원산지 | Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Fab Site Addition 14/Aug/2014 | |
PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 500mA(Tj) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 2mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 225pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252,(D-Pak) | |
표준 포장 | 2,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TN2640K4-G | |
관련 링크 | TN2640, TN2640K4-G 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 |
ERJ-T08J124V | RES SMD 120K OHM 5% 1/3W 1206 | ERJ-T08J124V.pdf | ||
RT0402FRE071K96L | RES SMD 1.96K OHM 1% 1/16W 0402 | RT0402FRE071K96L.pdf | ||
DSPF56009FJ81 | DSPF56009FJ81 MOT QFP | DSPF56009FJ81.pdf | ||
4SEQP560M | 4SEQP560M SANYO DIP | 4SEQP560M.pdf | ||
XC9536L-10VQG44C | XC9536L-10VQG44C XILINX SMD or Through Hole | XC9536L-10VQG44C.pdf | ||
MAX5900LBETT+ | MAX5900LBETT+ MAXIM TDFN-6 | MAX5900LBETT+.pdf | ||
KSB631 | KSB631 SAMSUNG TO-126 | KSB631.pdf | ||
SDRH3D28-6R8M | SDRH3D28-6R8M SUNLOR SMD | SDRH3D28-6R8M.pdf | ||
RM04JTN750 | RM04JTN750 TA-ITECH SMD0402 | RM04JTN750.pdf | ||
TL331QDBRG4VR | TL331QDBRG4VR TI SMD or Through Hole | TL331QDBRG4VR.pdf | ||
P2E106016MT0D | P2E106016MT0D VISHAY SMD or Through Hole | P2E106016MT0D.pdf |