창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TN2540N3-G-P002 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TN2540 | |
PCN 조립/원산지 | Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Fab Site Addition 14/Aug/2014 Assembly Site Add 8/Jun/2016 Supertex 03/Aug/2016 | |
PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 175mA(Tj) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 125pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
표준 포장 | 2,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TN2540N3-G-P002 | |
관련 링크 | TN2540N3-, TN2540N3-G-P002 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 |
416F30013ILT | 30MHz ±10ppm 수정 12pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F30013ILT.pdf | ||
SMF21K8JT | RES SMD 1.8K OHM 5% 2W 2616 | SMF21K8JT.pdf | ||
TNPW121091R0BETA | RES SMD 91 OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW121091R0BETA.pdf | ||
RCP0505B120RJS3 | RES SMD 120 OHM 5% 5W 0505 | RCP0505B120RJS3.pdf | ||
FKN7WSJR-91-3R9 | RES 3.9 OHM 7W 5% AXIAL | FKN7WSJR-91-3R9.pdf | ||
Y0058887R000B0L | RES 887 OHM 0.3W 0.1% AXIAL | Y0058887R000B0L.pdf | ||
CX050M0047RZH-0607 | CX050M0047RZH-0607 YAGEO SMD | CX050M0047RZH-0607.pdf | ||
2N970A | 2N970A ORIGINAL SMD or Through Hole | 2N970A.pdf | ||
MCT4051M | MCT4051M TI SOP16 | MCT4051M.pdf | ||
GMK105BJ104MV-F | GMK105BJ104MV-F ORIGINAL SMD or Through Hole | GMK105BJ104MV-F.pdf | ||
E011178BA107ATCX | E011178BA107ATCX NEC DIP 18 | E011178BA107ATCX.pdf | ||
XC2V10004FGG456I | XC2V10004FGG456I Xilinx SMD or Through Hole | XC2V10004FGG456I.pdf |