창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TN2124K1-G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TN2124 | |
PCN 설계/사양 | Die Attach Material Update 22/Jun/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Supertex Devices 22/Jul/2014 Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Qualification Report Revision 29/Jan/2015 Fab Site Addition 14/Aug/2014 | |
PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 240V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 134mA(Tj) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15옴 @ 120mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 360mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-236AB(SOT23) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | TN2124K1-G-ND TN2124K1-GTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TN2124K1-G | |
관련 링크 | TN2124, TN2124K1-G 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 |
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![]() | 06032U0R8CAT2A | 0.80pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.060" L x 0.030" W(1.52mm x 0.76mm) | 06032U0R8CAT2A.pdf | |
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![]() | TR2/6125FA750MA | FUSE BOARD MNT 750MA 125VAC/VDC | TR2/6125FA750MA.pdf | |
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![]() | 1001624 | 1001624 M-STATICCONTROLSOLUTIONS 1000Series16inch | 1001624.pdf | |
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![]() | MTFDCAE004SAJ-1N1 | MTFDCAE004SAJ-1N1 MICRON SMD or Through Hole | MTFDCAE004SAJ-1N1.pdf | |
![]() | NDD05N50Z-1G | NDD05N50Z-1G ON SMD or Through Hole | NDD05N50Z-1G.pdf | |
![]() | LT6660HCDC-2.5#PBF | LT6660HCDC-2.5#PBF LINEAR DFN3 0 -70 | LT6660HCDC-2.5#PBF.pdf | |
![]() | AC164144 | AC164144 MICROCHIP Call | AC164144.pdf |