창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TN0104N8-G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TN0104 | |
PCN 설계/사양 | Die Attach Material Update 26/Aug/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Fab Site Addition 14/Aug/2014 Die Material/Assembly Site 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 630mA(Tj) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2옴 @ 1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.6V @ 500µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 70pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 1.6W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-243AA | |
공급 장치 패키지 | TO-243AA(SOT-89) | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | TN0104N8-G-ND TN0104N8-GTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TN0104N8-G | |
관련 링크 | TN0104, TN0104N8-G 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 |
MBRB20150CT-13 | DIODE SCHOTTKY 150V 20A D2PAK | MBRB20150CT-13.pdf | ||
SML-811WTT86A | Yellow 590nm LED Indication - Discrete 1.95V 1305 (3412 Metric) | SML-811WTT86A.pdf | ||
ERJ-6CWFR011V | RES SMD 0.011 OHM 1% 1/2W 0805 | ERJ-6CWFR011V.pdf | ||
RT0603WRB0724R9L | RES SMD 24.9OHM 0.05% 1/10W 0603 | RT0603WRB0724R9L.pdf | ||
OP37FH/883 | OP37FH/883 AD CAN | OP37FH/883.pdf | ||
08123B | 08123B RENESAS QFN | 08123B.pdf | ||
SFF806G | SFF806G TSC TO-220F | SFF806G.pdf | ||
T2-1T | T2-1T MINI SMD or Through Hole | T2-1T.pdf | ||
796640-3 | 796640-3 AMPPRODUCTS SMD or Through Hole | 796640-3.pdf | ||
ORNA2002A | ORNA2002A VISHAY SOP8 | ORNA2002A.pdf | ||
XC61CC4002M | XC61CC4002M SOT3 SMD or Through Hole | XC61CC4002M.pdf | ||
SG636PCE18.4C0R | SG636PCE18.4C0R Epson SMD | SG636PCE18.4C0R.pdf |