창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TLP109(V4,E | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TLP109(IGM) | |
종류 | 절연기 | |
제품군 | 광분리기 - 트랜지스터, 광전지 출력 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | * | |
채널 개수 | 1 | |
전압 - 분리 | 3750Vrms | |
전류 전달비(최소) | 20% @ 16mA | |
전류 전달비(최대) | - | |
턴온/턴오프(통상) | 800ns, 800ns(최대) | |
상승/하강 시간(통상) | - | |
입력 유형 | DC | |
출력 유형 | 트랜지스터 | |
전압 - 출력(최대) | 20V | |
전류 - 출력/채널 | 8mA | |
전압 - 순방향(Vf) 통상 | 1.64V | |
전류 - DC 순방향(If) | 20mA | |
Vce 포화(최대) | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭, 5 리드) | |
공급 장치 패키지 | 6-SO, 5리드(Lead) | |
표준 포장 | 125 | |
다른 이름 | TLP109(V4,E( TLP109(V4,E(T TLP109(V4E TLP109V4E | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TLP109(V4,E | |
관련 링크 | TLP109, TLP109(V4,E 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | 5KP5.0A-E3/51 | TVS DIODE 5VWM 9.2VC P600 | 5KP5.0A-E3/51.pdf | |
![]() | LP221F35IDT | 22.1184MHz ±30ppm 수정 18pF 30옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP221F35IDT.pdf | |
![]() | DAR333-SO | DAR333-SO VDO SMD | DAR333-SO.pdf | |
![]() | CY7C09269A-12AC | CY7C09269A-12AC CYPRESS TQFP | CY7C09269A-12AC.pdf | |
![]() | DAT-3175-PP+ | DAT-3175-PP+ MINI SMD or Through Hole | DAT-3175-PP+.pdf | |
![]() | HYMP512S64CP8-Y5-T (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DI | HYMP512S64CP8-Y5-T (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DI Hynix SMD or Through Hole | HYMP512S64CP8-Y5-T (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DI.pdf | |
![]() | RK73H2BTTD1800F | RK73H2BTTD1800F koa SMD or Through Hole | RK73H2BTTD1800F.pdf | |
![]() | MCH3315-TL-E | MCH3315-TL-E SANYO SOT-323 | MCH3315-TL-E.pdf | |
![]() | 4C1050-60 | 4C1050-60 ORIGINAL DIP | 4C1050-60.pdf | |
![]() | SMCC-821K | SMCC-821K FASTRON DIP | SMCC-821K.pdf | |
![]() | KIA378R12PI by KEC | KIA378R12PI by KEC KEC SMD or Through Hole | KIA378R12PI by KEC.pdf |