창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TLP109(V4,E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TLP109(IGM) | |
| 종류 | 절연기 | |
| 제품군 | 광분리기 - 트랜지스터, 광전지 출력 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | * | |
| 채널 개수 | 1 | |
| 전압 - 분리 | 3750Vrms | |
| 전류 전달비(최소) | 20% @ 16mA | |
| 전류 전달비(최대) | - | |
| 턴온/턴오프(통상) | 800ns, 800ns(최대) | |
| 상승/하강 시간(통상) | - | |
| 입력 유형 | DC | |
| 출력 유형 | 트랜지스터 | |
| 전압 - 출력(최대) | 20V | |
| 전류 - 출력/채널 | 8mA | |
| 전압 - 순방향(Vf) 통상 | 1.64V | |
| 전류 - DC 순방향(If) | 20mA | |
| Vce 포화(최대) | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭, 5 리드) | |
| 공급 장치 패키지 | 6-SO, 5리드(Lead) | |
| 표준 포장 | 125 | |
| 다른 이름 | TLP109(V4,E( TLP109(V4,E(T TLP109(V4E TLP109V4E | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TLP109(V4,E | |
| 관련 링크 | TLP109, TLP109(V4,E 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | C0603C821J5GACAUTO | 820pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C821J5GACAUTO.pdf | |
![]() | HEL-736-U-2-12 | THERM PROD RTD TEMP SENSOR ASSY | HEL-736-U-2-12.pdf | |
![]() | DP50E600T1017xx | DP50E600T1017xx Danfuss SMD or Through Hole | DP50E600T1017xx.pdf | |
![]() | C1825C104M2RAC | C1825C104M2RAC KEMET SMD | C1825C104M2RAC.pdf | |
![]() | TMP87CH47U-1U40 | TMP87CH47U-1U40 TOSHIBA QFP | TMP87CH47U-1U40.pdf | |
![]() | S1JHE3/5AT | S1JHE3/5AT VISHAY S1JSeries600V1A | S1JHE3/5AT.pdf | |
![]() | 3-641215-7 | 3-641215-7 AMP/WSI SMD or Through Hole | 3-641215-7.pdf | |
![]() | IRP4668PBF | IRP4668PBF IR TO-247 | IRP4668PBF.pdf | |
![]() | NCA1206X7R106K10TRP | NCA1206X7R106K10TRP NICCOMPONENTS SMD or Through Hole | NCA1206X7R106K10TRP.pdf | |
![]() | UPC33A | UPC33A ORIGINAL CAN | UPC33A.pdf | |
![]() | HEF4029BDB | HEF4029BDB NXP DIP-14 | HEF4029BDB.pdf |