창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK9P65W,RQ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK9P65W | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.3A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 560m옴 @ 4.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 350µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 700pF @ 300V | |
전력 - 최대 | 80W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | TK9P65W,RQ(S TK9P65WRQTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK9P65W,RQ | |
관련 링크 | TK9P65, TK9P65W,RQ 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
402F2711XIJR | 27.12MHz ±10ppm 수정 9pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F2711XIJR.pdf | ||
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