창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TK9A65W,S5X | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TK9A65W | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.3A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 500m옴 @ 4.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 350µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 700pF @ 300V | |
| 전력 - 최대 | 30W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 전체 팩(Pack), 절연 탭 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220SIS | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | TK9A65W,S5X(M TK9A65WS5X | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TK9A65W,S5X | |
| 관련 링크 | TK9A65, TK9A65W,S5X 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | 1PS76SB70,115 | DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOD323 | 1PS76SB70,115.pdf | |
![]() | RC0402FR-07270KL | RES SMD 270K OHM 1% 1/16W 0402 | RC0402FR-07270KL.pdf | |
![]() | MMSZ4708T1 | MMSZ4708T1 MOT SMD or Through Hole | MMSZ4708T1.pdf | |
![]() | TM-07A | TM-07A SHINDENG DIP | TM-07A.pdf | |
![]() | 47UF 25V 5*11 M | 47UF 25V 5*11 M TASUND SMD or Through Hole | 47UF 25V 5*11 M.pdf | |
![]() | EM639165TS-6 | EM639165TS-6 ERTON TSOP | EM639165TS-6.pdf | |
![]() | 24.000HC49/U | 24.000HC49/U fronter SMD or Through Hole | 24.000HC49/U.pdf | |
![]() | K4T1G164QQ-HCF7T | K4T1G164QQ-HCF7T SAMSUNG SMD or Through Hole | K4T1G164QQ-HCF7T.pdf | |
![]() | WBM155R61C104KA01D | WBM155R61C104KA01D MURATA SMD or Through Hole | WBM155R61C104KA01D.pdf | |
![]() | IDT71V321L35PF | IDT71V321L35PF IDT TQFP | IDT71V321L35PF.pdf | |
![]() | LP38690SD-1.8 NOPB | LP38690SD-1.8 NOPB NSC ORG | LP38690SD-1.8 NOPB.pdf | |
![]() | JQC-3F(T73)DC12V | JQC-3F(T73)DC12V LP DIP | JQC-3F(T73)DC12V.pdf |