Toshiba Semiconductor and Storage TK7A65W,S5X

TK7A65W,S5X
제조업체 부품 번호
TK7A65W,S5X
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220SIS
데이터 시트 다운로드
다운로드
TK7A65W,S5X 가격 및 조달

가능 수량

8800 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 864.12260
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 TK7A65W,S5X 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. TK7A65W,S5X 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. TK7A65W,S5X가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
TK7A65W,S5X 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
TK7A65W,S5X 매개 변수
내부 부품 번호EIS-TK7A65W,S5X
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서TK7A65W
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)650V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C6.8A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs780m옴 @ 3.4A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs15nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds490pF @ 300V
전력 - 최대30W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3 전체 팩(Pack), 절연 탭
공급 장치 패키지TO-220SIS
표준 포장 50
다른 이름TK7A65W,S5X(M
TK7A65WS5X
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)TK7A65W,S5X
관련 링크TK7A65, TK7A65W,S5X 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통
TK7A65W,S5X 의 관련 제품
0.015µF Film Capacitor 300V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.728" L x 0.236" W (18.50mm x 6.00mm) BFC237514153.pdf
1µH Shielded Multilayer Inductor 1.15A 78 mOhm Max 0805 (2012 Metric) MLZ2012N1R0LTD25.pdf
RES SMD 133K OHM 0.1% 1/8W 0805 RT0805BRD07133KL.pdf
SKP630 ORIGINAL TOP220 SKP630.pdf
MOCD213R1VM Fairchi SOP-8 MOCD213R1VM.pdf
CJIRF640 ORIGINAL SMD or Through Hole CJIRF640.pdf
PRGD24150 ORIGINAL SMD or Through Hole PRGD24150.pdf
PLF1C331MD01CT NICHICON SMD or Through Hole PLF1C331MD01CT.pdf
HY5116400ASLJ-70 HYNIX SOJ24 HY5116400ASLJ-70.pdf
MCP6052T-E/SN MIC SMD or Through Hole MCP6052T-E/SN.pdf
ACE721A33BN.. ACE SMD or Through Hole ACE721A33BN...pdf
11A001-1622-00 MNC RJ45 11A001-1622-00.pdf