창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK50E06K3A,S1X(S | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Mosfets Prod Guide | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.5m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 54nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 104W | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | TK50E06K3AS1X(S TK50E06K3AS1XS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK50E06K3A,S1X(S | |
관련 링크 | TK50E06K3, TK50E06K3A,S1X(S 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | 1.5CE56A TR | TVS DIODE 47.8VWM 77VC DO201 | 1.5CE56A TR.pdf | |
![]() | 1N5711WS-7-F | DIODE SCHOTTKY 70V 150MW SOD323 | 1N5711WS-7-F.pdf | |
![]() | AFT26H250-24SR6 | FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI1230S-4 | AFT26H250-24SR6.pdf | |
![]() | AT0603DRE071K43L | RES SMD 1.43KOHM 0.5% 1/10W 0603 | AT0603DRE071K43L.pdf | |
![]() | RG1608P-512-W-T5 | RES SMD 5.1KOHM 0.05% 1/10W 0603 | RG1608P-512-W-T5.pdf | |
![]() | P51-750-A-AA-I12-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 750 PSI (5171.07 kPa) Absolute Male - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-750-A-AA-I12-4.5V-000-000.pdf | |
![]() | PPT2-0300AXN5VS | Pressure Sensor 300 PSI (2068.43 kPa) Absolute Female - 1/8" (3.18mm) Swagelok™ 0 V ~ 5 V Module Cube | PPT2-0300AXN5VS.pdf | |
![]() | VN900 | VN900 VIA BGA | VN900.pdf | |
![]() | 0826-1G4T-32-F | 0826-1G4T-32-F BELFUSEMACAOCO SMD or Through Hole | 0826-1G4T-32-F.pdf | |
![]() | RN4B2AY820J-T1 | RN4B2AY820J-T1 ORIGINAL SMD or Through Hole | RN4B2AY820J-T1.pdf | |
![]() | SD233R30R50PC | SD233R30R50PC IR B-8 | SD233R30R50PC.pdf |