Toshiba Semiconductor and Storage TK42E12N1,S1X
- 제조업체 부품 번호
- TK42E12N1,S1X
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N CH 120V 88A TO-220
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
TK42E12N1,S1X 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,259.24000
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 TK42E12N1,S1X 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. TK42E12N1,S1X 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. TK42E12N1,S1X가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- TK42E12N1,S1X 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TK42E12N1,S1X 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TK42E12N1,S1X | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TK42E12N1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 120V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 88A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.4m옴 @ 21A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 52nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3100pF @ 60V | |
| 전력 - 최대 | 140W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | TK42E12N1S1X | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TK42E12N1,S1X | |
| 관련 링크 | TK42E12, TK42E12N1,S1X 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
TK42E12N1,S1X 의 관련 제품
 | UMA1V220MDD1TP | 22µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | UMA1V220MDD1TP.pdf | |
 | GRM033C80J183KE01D | 0.018µF 6.3V 세라믹 커패시터 X6S 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM033C80J183KE01D.pdf | |
 | C907U390JZSDBA7317 | 9pF 440VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C907U390JZSDBA7317.pdf | |
 | CMF55432R00CEBF | RES 432 OHM 1/2W .25% AXIAL | CMF55432R00CEBF.pdf | |
| MSP3411G-PO-B8-V3-S | MSP3411G-PO-B8-V3-S MICRONAS DIP52 | MSP3411G-PO-B8-V3-S.pdf | |
| MTV018N-042 EE | MTV018N-042 EE MYSON na | MTV018N-042 EE.pdf | |
| RNC55J1001BS | RNC55J1001BS VISHAY RESISTOR | RNC55J1001BS.pdf | |
| 59-153860-01 | 59-153860-01 JINGWAN SMD | 59-153860-01.pdf | |
| G6ZK-1P-A DC3V | G6ZK-1P-A DC3V OMRON SMD or Through Hole | G6ZK-1P-A DC3V.pdf | |
| RU1S000LF | RU1S000LF LB RJ45 | RU1S000LF.pdf | |
| IS61SF6432-10TQI，-10TQ | IS61SF6432-10TQI，-10TQ ISSI TQFP | IS61SF6432-10TQI，-10TQ.pdf | |
| RS-06K122FT | RS-06K122FT FHTG SMD or Through Hole | RS-06K122FT.pdf |