창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TK39N60X,S1F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TK39N60X | |
| 주요제품 | DTMOS4 High Speed Super Junction MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 초접합 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 38.8A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 65m옴 @ 12.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 1.9mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 85nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4100pF @ 300V | |
| 전력 - 최대 | 270W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | TK39N60X,S1F(S TK39N60XS1F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TK39N60X,S1F | |
| 관련 링크 | TK39N60, TK39N60X,S1F 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | 0412CDMCCDS-R47MC | 470nH Shielded Molded Inductor 6A 21 mOhm Max Nonstandard | 0412CDMCCDS-R47MC.pdf | |
![]() | BAT54AT1 | BAT54AT1 ON SOT-23 | BAT54AT1.pdf | |
![]() | DS78L12J/MIJ | DS78L12J/MIJ ORIGINAL SMD or Through Hole | DS78L12J/MIJ.pdf | |
![]() | E3F3-D11.12.61.62..31.32..82 | E3F3-D11.12.61.62..31.32..82 ORIGINAL SMD or Through Hole | E3F3-D11.12.61.62..31.32..82.pdf | |
![]() | 0-0188275-6 | 0-0188275-6 tyc SMD or Through Hole | 0-0188275-6.pdf | |
![]() | MCF51QE32LH | MCF51QE32LH FRE Call | MCF51QE32LH.pdf | |
![]() | LQP31A22NG04M | LQP31A22NG04M ORIGINAL SMD | LQP31A22NG04M.pdf | |
![]() | S-80925CNMC-G8V-G | S-80925CNMC-G8V-G SEIKO SOT23-5 | S-80925CNMC-G8V-G.pdf | |
![]() | FS8855-30GL | FS8855-30GL ORIGINAL SOT-89 | FS8855-30GL.pdf | |
![]() | TLC5628IDWG4 | TLC5628IDWG4 TexasInstruments SMD or Through Hole | TLC5628IDWG4.pdf |