창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK35E08N1,S1X | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK35E08N1 | |
주요제품 | Silicon N-channel MOSFETSilicon N-channel MOSFET U-MOSⅧ-H MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 55A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12.2m옴 @ 17.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 300µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1700pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 72W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | TK35E08N1S1X | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK35E08N1,S1X | |
관련 링크 | TK35E08, TK35E08N1,S1X 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
SZP6SMB12AT3G | TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC SMB2 | SZP6SMB12AT3G.pdf | ||
CPF-A-0402B750RE1 | RES SMD 750 OHM 0.1% 1/16W 0402 | CPF-A-0402B750RE1.pdf | ||
Y00752K20000T9L | RES 2.2K OHM 0.3W 0.01% RADIAL | Y00752K20000T9L.pdf | ||
70ADJ-2-FL0 | 70ADJ-2-FL0 bourns DIP | 70ADJ-2-FL0.pdf | ||
RF25SCKBAL10R12 | RF25SCKBAL10R12 N/A SMD or Through Hole | RF25SCKBAL10R12.pdf | ||
SA160AG | SA160AG ONSemiconductor SMD or Through Hole | SA160AG.pdf | ||
MBM29PL64LM-90PCN | MBM29PL64LM-90PCN FUJITSU TSOP56 | MBM29PL64LM-90PCN.pdf | ||
MB88346BPFV-G-BND-ER-FJ | MB88346BPFV-G-BND-ER-FJ FUJITSU TSSOP | MB88346BPFV-G-BND-ER-FJ.pdf | ||
AS2914S | AS2914S ORIGINAL SOP-8 | AS2914S.pdf | ||
28332-15ES1 | 28332-15ES1 CONEXANT TQFP | 28332-15ES1.pdf | ||
TIMA20 | TIMA20 NA SOT-323 | TIMA20.pdf | ||
AB35 | AB35 OKITA SOP4 | AB35.pdf |