Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1Z,LQ
- 제조업체 부품 번호
- TK33S10N1Z,LQ
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
TK33S10N1Z,LQ 가격 및 조달
가능 수량
12550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 674.59392
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 TK33S10N1Z,LQ 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. TK33S10N1Z,LQ 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. TK33S10N1Z,LQ가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- TK33S10N1Z,LQ 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TK33S10N1Z,LQ 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TK33S10N1Z,LQ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TK33S10N1Z | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 33A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.7m옴 @ 16.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 500µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 28nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2050pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK+ | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | TK33S10N1Z,LQ(O TK33S10N1ZLQTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TK33S10N1Z,LQ | |
| 관련 링크 | TK33S10, TK33S10N1Z,LQ 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
TK33S10N1Z,LQ 의 관련 제품
 | BFC238552333 | 0.033µF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.394" W (17.50mm x 10.00mm) | BFC238552333.pdf | |
| BFC237542101 | 100pF Film Capacitor 600V 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.728" L x 0.217" W (18.50mm x 5.50mm) | BFC237542101.pdf | |
 | Q2004V3 | TRIAC SENS GATE 200V 4A TO251 | Q2004V3.pdf | |
| 160R-220MS | 22nH Unshielded Inductor 1.345A 70 mOhm Max 2-SMD | 160R-220MS.pdf | |
 | 55100-AP-01-E | Magnetic Hall Effect Sensor Magnet, South Pole Analog Wire Leads with Connector Module | 55100-AP-01-E.pdf | |
| FXO-LC735-4.00000 | FXO-LC735-4.00000 FOX SMD or Through Hole | FXO-LC735-4.00000.pdf | |
| ispPAC-POWR1208 | ispPAC-POWR1208 LATTICE 44-TQFP | ispPAC-POWR1208.pdf | |
| MM1661JFBE | MM1661JFBE MITSUMI SOP-8 | MM1661JFBE.pdf | |
| NCP612SQ15T2G | NCP612SQ15T2G ON SC70-5 | NCP612SQ15T2G.pdf | |
| IDD10-12S4U | IDD10-12S4U CHINFA SIP5 | IDD10-12S4U.pdf | |
| OP77BIGJ | OP77BIGJ AD CAN | OP77BIGJ.pdf | |
| DIS-LF(HDIS2-SYSFO) | DIS-LF(HDIS2-SYSFO) Samsung SMD or Through Hole | DIS-LF(HDIS2-SYSFO).pdf |