창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TK25A60X,S5X | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TK25A60X | |
| 주요제품 | DTMOS4 High Speed Super Junction MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 125m옴 @ 7.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 1.2mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2400pF @ 300V | |
| 전력 - 최대 | 45W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 전체 팩(Pack), 절연 탭 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220SIS | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | TK25A60X,S5X(M TK25A60XS5X | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TK25A60X,S5X | |
| 관련 링크 | TK25A60, TK25A60X,S5X 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | MKP1839082632R | 82pF Film Capacitor 250V 630V Polypropylene (PP), Metallized Axial 0.217" Dia x 0.433" L (5.50mm x 11.00mm) | MKP1839082632R.pdf | |
![]() | DR5001 | - RF Receiver OOK 868.35MHz -100dBm 19.2kbps PCB, Surface Mount Module | DR5001.pdf | |
![]() | VSP9427B C3 | VSP9427B C3 ORIGINAL QFP | VSP9427B C3.pdf | |
![]() | LA1862M-TRM-E | LA1862M-TRM-E SANYO SMD or Through Hole | LA1862M-TRM-E.pdf | |
![]() | ST-4ETB203 | ST-4ETB203 COPAL SMD or Through Hole | ST-4ETB203.pdf | |
![]() | HLMT-QL00#011 | HLMT-QL00#011 HP SMD or Through Hole | HLMT-QL00#011.pdf | |
![]() | SDA9280. | SDA9280. Infineon PLCC68 | SDA9280..pdf | |
![]() | M1963 | M1963 SM 5SIP | M1963.pdf | |
![]() | Y3M_ | Y3M_ NPE SOT-23 | Y3M_.pdf | |
![]() | 181LY-392K | 181LY-392K TOKO SMD or Through Hole | 181LY-392K.pdf | |
![]() | PAT1220-C-8DB-T-C | PAT1220-C-8DB-T-C YDS SMD or Through Hole | PAT1220-C-8DB-T-C.pdf | |
![]() | 54LS21DMQB | 54LS21DMQB NSC DIP | 54LS21DMQB.pdf |