창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TK20A60U(Q,M) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TK20A60U Mosfets Prod Guide | |
| 카탈로그 페이지 | 1649 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 27nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1470pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 45W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220SIS | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | TK20A60U(Q) TK20A60UQ TK20A60UQ-ND TK20A60UQM | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TK20A60U(Q,M) | |
| 관련 링크 | TK20A60, TK20A60U(Q,M) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | S3J-TP | DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB | S3J-TP.pdf | |
![]() | S1812R-683F | 68µH Shielded Inductor 215mA 4.3 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | S1812R-683F.pdf | |
![]() | SWEL1005L68N | SWEL1005L68N XYT SMD or Through Hole | SWEL1005L68N.pdf | |
![]() | LKG1J122MESABK | LKG1J122MESABK NICHICON DIP | LKG1J122MESABK.pdf | |
![]() | KM718V887T-8 | KM718V887T-8 SAMSUNG QFP | KM718V887T-8.pdf | |
![]() | P2600ZA | P2600ZA TECCOR SIP | P2600ZA.pdf | |
![]() | WPM3010-817R | WPM3010-817R ORIGINAL SOP8 | WPM3010-817R.pdf | |
![]() | B12B-ZR-SM3-TB | B12B-ZR-SM3-TB JST SMD or Through Hole | B12B-ZR-SM3-TB.pdf | |
![]() | NTS11740D5J-60S | NTS11740D5J-60S NANYA SOJ | NTS11740D5J-60S.pdf | |
![]() | CSA20-141NT | CSA20-141NT ORIGINAL SMD or Through Hole | CSA20-141NT.pdf |