창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TK18A50D(STA4,Q,M) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TK18A50D Mosfets Prod Guide | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 270m옴 @ 9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220SIS | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | TK18A50D(STA4QM) TK18A50DSTA4QM | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TK18A50D(STA4,Q,M) | |
| 관련 링크 | TK18A50D(S, TK18A50D(STA4,Q,M) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | C1005X7R1H682KT | C1005X7R1H682KT ORIGINAL SMD or Through Hole | C1005X7R1H682KT.pdf | |
![]() | DP906C TO220 | DP906C TO220 ORIGINAL TO220 | DP906C TO220.pdf | |
![]() | MX29L1611TC-12 | MX29L1611TC-12 MX TSOP | MX29L1611TC-12.pdf | |
![]() | LDC15D190A0013AH-1 | LDC15D190A0013AH-1 muRata SMD or Through Hole | LDC15D190A0013AH-1.pdf | |
![]() | CE8301E33P | CE8301E33P CHIPOWER SMD or Through Hole | CE8301E33P.pdf | |
![]() | DAC08AQ/833 | DAC08AQ/833 PMI DIP16 | DAC08AQ/833.pdf | |
![]() | STR-M6512 | STR-M6512 SANKEN TO3P-7 | STR-M6512.pdf | |
![]() | BR-HE133-15V-TRB | BR-HE133-15V-TRB BRIGHT (ROHS) | BR-HE133-15V-TRB.pdf | |
![]() | 3430EFE-1 | 3430EFE-1 LINEAR SMD or Through Hole | 3430EFE-1.pdf | |
![]() | 24.576MHZ/NX3225SA | 24.576MHZ/NX3225SA NDK SMD | 24.576MHZ/NX3225SA.pdf | |
![]() | MF160VB22RM10X20FT | MF160VB22RM10X20FT NIPPON SMD or Through Hole | MF160VB22RM10X20FT.pdf | |
![]() | 40H373 | 40H373 TOS DIP20 | 40H373.pdf |