창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK16N60W,S1VF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK16N60W | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 초접합 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15.8A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 7.9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 790µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1350pF @ 300V | |
전력 - 최대 | 130W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 | |
표준 포장 | 30 | |
다른 이름 | TK16N60W,S1VF(S TK16N60WS1VF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK16N60W,S1VF | |
관련 링크 | TK16N60, TK16N60W,S1VF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | AB-9.8304MHZ-B2 | 9.8304MHz ±20ppm 수정 18pF 35옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/U | AB-9.8304MHZ-B2.pdf | |
![]() | B82498F3821G1 | 820nH Unshielded Wirewound Inductor 180mA 1.9 Ohm Max 2-SMD | B82498F3821G1.pdf | |
![]() | 9405R-24 | 10µH Shielded Inductor 380mA 1.5 Ohm Max Radial | 9405R-24.pdf | |
![]() | CMF609R6500FLR6 | RES 9.65 OHM 1W 1% AXIAL | CMF609R6500FLR6.pdf | |
OPB910L55 | SWITCH SLOTTED OPTICAL WIDE GAP | OPB910L55.pdf | ||
![]() | ST3232EB | ST3232EB ST SSOP | ST3232EB.pdf | |
![]() | MA2395 | MA2395 P/N SIP-15P | MA2395.pdf | |
![]() | GCM188R71H103KA02D | GCM188R71H103KA02D MURATA SMD | GCM188R71H103KA02D.pdf | |
![]() | K9F1209U0C-PCBO | K9F1209U0C-PCBO SAM TSSOP | K9F1209U0C-PCBO.pdf | |
![]() | SI9183DT-30-T1-E3.. | SI9183DT-30-T1-E3.. VISHAY SMD or Through Hole | SI9183DT-30-T1-E3...pdf | |
![]() | CE74LS244N | CE74LS244N CET DIP | CE74LS244N.pdf | |
![]() | SCT9020AG3 | SCT9020AG3 SIB BGA | SCT9020AG3.pdf |