창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK14E65W,S1X | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK14E65W | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13.7A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 250m옴 @ 6.9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 690µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 300V | |
전력 - 최대 | 130W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | TK14E65W,S1X(S TK14E65W,S1X-ND TK14E65WS1X | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK14E65W,S1X | |
관련 링크 | TK14E65, TK14E65W,S1X 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | VJ0603D1R2BLXAC | 1.2pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D1R2BLXAC.pdf | |
![]() | 416F5001XADT | 50MHz ±10ppm 수정 18pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F5001XADT.pdf | |
![]() | PATT0402L4R87FGT1 | RES SMD 4.87 OHM 1% 1/20W 0402 | PATT0402L4R87FGT1.pdf | |
![]() | SM2615FT51R1 | RES SMD 51.1 OHM 1% 1W 2615 | SM2615FT51R1.pdf | |
![]() | SDA5250 C5 | SDA5250 C5 INFINEON PLCC-84 | SDA5250 C5.pdf | |
![]() | UPD4006BC | UPD4006BC NEC DIP14P | UPD4006BC.pdf | |
![]() | 2SK170GR | 2SK170GR TOS SMD or Through Hole | 2SK170GR.pdf | |
![]() | SIR462DP-T1 | SIR462DP-T1 VISHAY SMD or Through Hole | SIR462DP-T1.pdf | |
![]() | HY5DV281622ET-36 | HY5DV281622ET-36 HYNIX TSSOP | HY5DV281622ET-36.pdf | |
![]() | UPD95177GN-MMU | UPD95177GN-MMU NEC QFP | UPD95177GN-MMU.pdf | |
![]() | MMBD5004BRM | MMBD5004BRM ZETEXDIODES SOT26 | MMBD5004BRM.pdf | |
![]() | HIP1011CBZA-TS2490 | HIP1011CBZA-TS2490 INTERSIL SMD or Through Hole | HIP1011CBZA-TS2490.pdf |