창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK13A50DA(STA4,Q,M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK13A50DA Mosfets Prod Guide | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 470m옴 @ 6.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 28nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1550pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 45W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220SIS | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | TK13A50DA(STA4QM TK13A50DASTA4QM | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK13A50DA(STA4,Q,M | |
관련 링크 | TK13A50DA(, TK13A50DA(STA4,Q,M 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
MKP385230063JBA2B0 | 3000pF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.283" L x 0.138" W (7.20mm x 3.50mm) | MKP385230063JBA2B0.pdf | ||
FES16DTHE3/45 | DIODE GEN PURP 200V 16A TO220AC | FES16DTHE3/45.pdf | ||
RN73C1J15RBTG | RES SMD 15 OHM 0.1% 1/16W 0603 | RN73C1J15RBTG.pdf | ||
LM1247ECA/NA | LM1247ECA/NA NS DIP24 | LM1247ECA/NA.pdf | ||
LM741W/883C | LM741W/883C ORIGINAL NULL | LM741W/883C.pdf | ||
DM1AA-SF-PEJ/72 | DM1AA-SF-PEJ/72 HIROSE SMD or Through Hole | DM1AA-SF-PEJ/72.pdf | ||
C1608X7R1H153K | C1608X7R1H153K TDK SMD or Through Hole | C1608X7R1H153K.pdf | ||
1SS245 DO35 | 1SS245 DO35 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1SS245 DO35.pdf | ||
SG581PHC-50.000MHZ | SG581PHC-50.000MHZ M DIP4 | SG581PHC-50.000MHZ.pdf | ||
RVG4F12-203VM-TG | RVG4F12-203VM-TG MURATA SMD or Through Hole | RVG4F12-203VM-TG.pdf | ||
M29W102BB70N6 | M29W102BB70N6 ST TSOP40 | M29W102BB70N6.pdf | ||
HCPL- T260-360E | HCPL- T260-360E AVAGO SOP8 | HCPL- T260-360E.pdf |