창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK12A50E,S4X | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK12A50E | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 520m옴 @ 6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1.2mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 45W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 전체 팩(Pack), 절연 탭 | |
공급 장치 패키지 | TO-220SIS | |
표준 포장 | 150 | |
다른 이름 | TK12A50E,S4X(S TK12A50E,S5X TK12A50E,S5X(M TK12A50ES4X TK12A50ES4X(S TK12A50ES4X(S-ND TK12A50ES5X TK12A50ES5X-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK12A50E,S4X | |
관련 링크 | TK12A50, TK12A50E,S4X 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | 250R05L240GV4T | 24pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | 250R05L240GV4T.pdf | |
![]() | MS 2.5 | FUSE BOARD MOUNT 2.5A 125VAC/VDC | MS 2.5.pdf | |
![]() | 416F27033ATR | 27MHz ±30ppm 수정 6pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27033ATR.pdf | |
![]() | BAS16-7 | DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3 | BAS16-7.pdf | |
![]() | SMBJ5352C/TR13 | DIODE ZENER 15V 5W SMBJ | SMBJ5352C/TR13.pdf | |
![]() | CRCW0603160RFKTA | RES SMD 160 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW0603160RFKTA.pdf | |
![]() | T2706S | T2706S IMP SMD or Through Hole | T2706S.pdf | |
![]() | FR1103W-TR | FR1103W-TR STANLEY SMD | FR1103W-TR.pdf | |
![]() | MI-220-IX | MI-220-IX VICOR SMD or Through Hole | MI-220-IX.pdf | |
![]() | ZUMT413TA(T13) | ZUMT413TA(T13) ZETEX SOT323 | ZUMT413TA(T13).pdf | |
![]() | MX0420 | MX0420 ORIGINAL QFP | MX0420.pdf | |
![]() | K4N29A | K4N29A KODENSHI DIPSOP | K4N29A.pdf |