Toshiba Semiconductor and Storage TK11A60D(STA4,Q,M)
- 제조업체 부품 번호
- TK11A60D(STA4,Q,M)
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 600V 11A TO-220SIS
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
TK11A60D(STA4,Q,M) 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 2,662.54000
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 TK11A60D(STA4,Q,M) 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. TK11A60D(STA4,Q,M) 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. TK11A60D(STA4,Q,M)가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- TK11A60D(STA4,Q,M) 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TK11A60D(STA4,Q,M) 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TK11A60D(STA4,Q,M) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TK11A60D Mosfets Prod Guide | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 650m옴 @ 5.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 28nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1550pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 45W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220SIS | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | TK11A60D(STA4QM) TK11A60DSTA4QM | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TK11A60D(STA4,Q,M) | |
| 관련 링크 | TK11A60D(S, TK11A60D(STA4,Q,M) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
TK11A60D(STA4,Q,M) 의 관련 제품
 | GRM188R71E473KA01J | 0.047µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM188R71E473KA01J.pdf | |
 | SESD0201X1BN-0010-098 | TVS DIODE 7VWM 10VC DFN | SESD0201X1BN-0010-098.pdf | |
 | S1812R-333F | 33µH Shielded Inductor 258mA 3 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | S1812R-333F.pdf | |
 | PMR10EZPJV4L0 | RES SMD 0.004 OHM 5% 1/2W 0805 | PMR10EZPJV4L0.pdf | |
.jpg) | AT0805BRD071K05L | RES SMD 1.05K OHM 0.1% 1/8W 0805 | AT0805BRD071K05L.pdf | |
 | HAC 200-S | Current Sensor 200A 1 Channel Hall Effect, Open Loop Bidirectional Module | HAC 200-S.pdf | |
 | SN7483AN. | SN7483AN. TI DIP | SN7483AN..pdf | |
| IDT71V42412PH | IDT71V42412PH IDT SOP | IDT71V42412PH.pdf | |
| SGM809-ZXN3L | SGM809-ZXN3L SGMICRO SOT23-3 | SGM809-ZXN3L.pdf | |
| TS63Y-2K-10% | TS63Y-2K-10% ORIGINAL SMD or Through Hole | TS63Y-2K-10%.pdf | |
| BAS16XV2T1/G | BAS16XV2T1/G ONSE DIPSMT | BAS16XV2T1/G.pdf | |
| 2SC2408 | 2SC2408 TOSHIBA TO92 | 2SC2408.pdf |