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Toshiba Semiconductor and Storage TK10E60W,S1VX

TK10E60W,S1VX
제조업체 부품 번호
TK10E60W,S1VX
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
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내부 부품 번호EIS-TK10E60W,S1VX
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서TK10E60W
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징초접합
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C9.7A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs380m옴 @ 4.9A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3.7V @ 500µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs20nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds700pF @ 300V
전력 - 최대100W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220
표준 포장 50
다른 이름TK10E60W,S1VX(S
TK10E60WS1VX
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)TK10E60W,S1VX
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