창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TK10A50D(STA4,Q,M) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TK10A50D Mosfets Prod Guide | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 720m옴 @ 5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1050pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 45W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220SIS | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | TK10A50D(STA4QM) TK10A50DSTA4QM | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TK10A50D(STA4,Q,M) | |
| 관련 링크 | TK10A50D(S, TK10A50D(STA4,Q,M) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | TEPSLB20G226M8R | TEPSLB20G226M8R N/A STOCK | TEPSLB20G226M8R.pdf | |
![]() | 6X86MX-PR233/IBM26X86MX-BV | 6X86MX-PR233/IBM26X86MX-BV N/A Pga | 6X86MX-PR233/IBM26X86MX-BV.pdf | |
![]() | R3602A3 | R3602A3 TI SOP-8 | R3602A3.pdf | |
![]() | MIC5209-3.3YS/TR | MIC5209-3.3YS/TR MIC SOT-223 | MIC5209-3.3YS/TR.pdf | |
![]() | EC12E24104A5 | EC12E24104A5 ALPS SMD or Through Hole | EC12E24104A5.pdf | |
![]() | B32529C0155J289 | B32529C0155J289 EPCOS DIP | B32529C0155J289.pdf | |
![]() | MAX978ESE | MAX978ESE MAXIM Standard | MAX978ESE.pdf | |
![]() | MLM111U | MLM111U MOT DIP | MLM111U.pdf | |
![]() | EWS150-18 | EWS150-18 LAMBDA SMD or Through Hole | EWS150-18.pdf | |
![]() | MMBZ5251BW | MMBZ5251BW ORIGINAL SMD or Through Hole | MMBZ5251BW.pdf | |
![]() | 2518068007Y0 | 2518068007Y0 Fair-Rite SMD | 2518068007Y0.pdf | |
![]() | UVZ1V470MPD1TD | UVZ1V470MPD1TD NICHICON DIP | UVZ1V470MPD1TD.pdf |