Toshiba Semiconductor and Storage TK100E10N1,S1X
- 제조업체 부품 번호
- TK100E10N1,S1X
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 100A TO220
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TK100E10N1,S1X 가격 및 조달
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10749 조각
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제조업체 표준 리드 타임: 6 주
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TK100E10N1,S1X 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TK100E10N1,S1X | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TK100E10N1 | |
| 주요제품 | U-MOSⅧ-H MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.4m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 140nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8800pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 255W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | TK100E10N1,S1X(S TK100E10N1S1X | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TK100E10N1,S1X | |
| 관련 링크 | TK100E10, TK100E10N1,S1X 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
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