창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK100A06N1,S4X | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK100A06N1 | |
주요제품 | U-MOSⅧ-H MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.7m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 140nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10500pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 45W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 전체 팩(Pack), 절연 탭 | |
공급 장치 패키지 | TO-220SIS | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | TK100A06N1,S4X(S TK100A06N1,S4X-ND TK100A06N1S4X | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK100A06N1,S4X | |
관련 링크 | TK100A06, TK100A06N1,S4X 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
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![]() | 416F38012ITT | 38MHz ±10ppm 수정 6pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38012ITT.pdf | |
![]() | TMP47C203N-JH24 | TMP47C203N-JH24 TOSHIBA DIP | TMP47C203N-JH24.pdf | |
![]() | WRF1215S-2W | WRF1215S-2W YUAN SIP | WRF1215S-2W.pdf | |
![]() | HD62256 | HD62256 HIT DIP | HD62256.pdf | |
![]() | D9220GD-5BB | D9220GD-5BB NEC QFP-120 | D9220GD-5BB.pdf | |
![]() | ICS412 | ICS412 ICS BGA | ICS412.pdf | |
![]() | LT1086S-3.3 | LT1086S-3.3 LT TO263 | LT1086S-3.3.pdf |