창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TFZVTR11B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TFZV Series | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 11V | |
| 허용 오차 | - | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 200nA @ 8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 2-SMD, 평면 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | TUMD2M | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | TFZVTR11BTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TFZVTR11B | |
| 관련 링크 | TFZVT, TFZVTR11B 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | G6SK-2-H DC5 | Telecom Relay DPDT (2 Form C) Through Hole | G6SK-2-H DC5.pdf | |
![]() | CB10JB82R0 | RES 82 OHM 10W 5% CERAMIC WW | CB10JB82R0.pdf | |
![]() | KLB-16AI-94 | KLB-16AI-94 ORIGINAL DIP | KLB-16AI-94.pdf | |
![]() | MN67601 | MN67601 MN SOP | MN67601.pdf | |
![]() | 9060480501 | 9060480501 HARTIN SMD or Through Hole | 9060480501.pdf | |
![]() | Y24KPC | Y24KPC ORIGINAL SMD or Through Hole | Y24KPC.pdf | |
![]() | S9C | S9C N/A QFN10 | S9C.pdf | |
![]() | GF-GO7300-8-N-A3 | GF-GO7300-8-N-A3 NVIDIA BJA | GF-GO7300-8-N-A3.pdf | |
![]() | AERO4300XC1 | AERO4300XC1 NXP QFN | AERO4300XC1.pdf | |
![]() | SCN091CQ1AAA | SCN091CQ1AAA ORIGINAL QFP | SCN091CQ1AAA.pdf | |
![]() | 2N7000_NL | 2N7000_NL Fairchild SMD or Through Hole | 2N7000_NL.pdf | |
![]() | TSB41LV01A | TSB41LV01A ORIGINAL 100p | TSB41LV01A.pdf |