창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TFZGTR6.8B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Part No. Explanation for Diodes TFZ Series | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
| 허용 오차 | - | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 8옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 3.5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 2-SMD, 평면 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | TUMD2 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | TFZGTR6.8B-ND TFZGTR6.8BTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TFZGTR6.8B | |
| 관련 링크 | TFZGTR, TFZGTR6.8B 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | BZD27C6V2P-HE3-18 | DIODE ZENER 800MW SMF DO219 | BZD27C6V2P-HE3-18.pdf | |
![]() | ERJ-1TYJ1R3U | RES SMD 1.3 OHM 5% 1W 2512 | ERJ-1TYJ1R3U.pdf | |
![]() | CMF5013R300FHEK | RES 13.3 OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF5013R300FHEK.pdf | |
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![]() | C05-24P | C05-24P ORIGINAL SMD or Through Hole | C05-24P.pdf | |
![]() | DH3700B681K(681k 1kv) | DH3700B681K(681k 1kv) ORIGINAL SMD or Through Hole | DH3700B681K(681k 1kv).pdf | |
![]() | CRWA08W | CRWA08W ORIGINAL SMD or Through Hole | CRWA08W.pdf | |
![]() | AS4C1M16F5-45JI | AS4C1M16F5-45JI ALLIANCE SOJ42 | AS4C1M16F5-45JI.pdf | |
![]() | ispLSL2032VE-135LJ | ispLSL2032VE-135LJ ORIGINAL PLCC44 | ispLSL2032VE-135LJ.pdf | |
![]() | CM108MMK01 | CM108MMK01 ORIGINAL SMD or Through Hole | CM108MMK01.pdf | |
![]() | CA07X4C100M016T | CA07X4C100M016T CHEMI SMD or Through Hole | CA07X4C100M016T.pdf |